关注我们: 中仿首页 | 登录 | 会员中心  | 手机版 | English

    客户案例

    韩国汉阳大学等机构借助FEMAG软件模拟研究单晶硅的空位缺陷行为

    日本Shin-Etsu Handotai公司利用FEMAG软件模拟研究单晶硅Cz生长中缺陷生成与热场的关系

    在大尺寸单晶硅Cz生长中,原生缺陷会显著影响MOS器件(metal- oxide- semiconductor)的栅氧化物完整性(GOI)。

    详细了解  日本Shin-Etsu Handotai公司利用FEMAG软件模拟研究单晶硅Cz生长中缺陷生成与热场的关系

    日本KEM公司基于FEMAG软件数值预测单晶硅提拉生长中的固-液界面形状与晶体缺陷

    在晶体提拉生长过程中,点缺陷与固-液界面的形状密切相关。当固-液界面形状事先不知道时,可以利用全局模拟方法(包括综合考虑熔体热对流、气体热对流、热传导、辐射传热等)来计算、确定界面的形状。

    详细了解  日本KEM公司基于FEMAG软件数值预测单晶硅提拉生长中的固-液界面形状与晶体缺陷

    德国Wacker Chemitronic公司借助FEMAG软件模拟分析单晶硅Cz法生长中的缺陷

    在晶体生长过程中,氧化诱生层错(oxidation induced stacking fault,OSF)环缺陷的分布及其生长模式一直是晶体质量控制的研究热点。

    详细了解  德国Wacker Chemitronic公司借助FEMAG软件模拟分析单晶硅Cz法生长中的缺陷

    FEMAG/VB软件在AXT公司 晶体生长熔炉研发中的应用

    FEMAG软件助力ON Semiconductor公司研发晶体生长设备及工艺

    ON Semiconductor公司主要利用FEMAG软件模拟分析LED光电领域中的氧化物晶体生长工艺,通过借助FEMAG软件数值仿真分析,改善晶体生长的质量,提高企业的产品市场竞争力。

    详细了解  FEMAG软件助力ON Semiconductor公司研发晶体生长设备及工艺

    韩国技术教育大学利用FEMAG软件优化设计单晶硅Cz生长炉中的保温层

    来自法国InPACT S.A的研究成果——利用FEMAG软件模拟InP晶体生长工艺

    韩国LG Siltron利用FEMAG软件计算硅晶Cz生长过程中的晶体-熔体界面形状

    Wacker Siltronic AG借助FEMAG软件研发晶体生长设备







    24 条记录 1/3 页 下一页  1  2   3