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客户案例

300mm单晶硅提拉法生长数值模拟案例报告

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韩国汉阳大学等机构借助FEMAG软件模拟研究单晶硅的空位缺陷行为

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日本Shin-Etsu Handotai公司利用FEMAG软件模拟研究单晶硅Cz生长中缺陷生成与热场的关系

在大尺寸单晶硅Cz生长中，原生缺陷会显著影响MOS器件（metal- oxide- semiconductor）的栅氧化物完整性（GOI）。

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日本KEM公司基于FEMAG软件数值预测单晶硅提拉生长中的固-液界面形状与晶体缺陷

在晶体提拉生长过程中，点缺陷与固-液界面的形状密切相关。当固-液界面形状事先不知道时，可以利用全局模拟方法（包括综合考虑熔体热对流、气体热对流、热传导、辐射传热等）来计算、确定界面的形状。

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德国Wacker Chemitronic公司借助FEMAG软件模拟分析单晶硅Cz法生长中的缺陷

在晶体生长过程中，氧化诱生层错（oxidation induced stacking fault，OSF）环缺陷的分布及其生长模式一直是晶体质量控制的研究热点。

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FEMAG/VB软件在AXT公司晶体生长熔炉研发中的应用

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FEMAG软件助力ON Semiconductor公司研发晶体生长设备及工艺

ON Semiconductor公司主要利用FEMAG软件模拟分析LED光电领域中的氧化物晶体生长工艺，通过借助FEMAG软件数值仿真分析，改善晶体生长的质量，提高企业的产品市场竞争力。

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韩国技术教育大学利用FEMAG软件优化设计单晶硅Cz生长炉中的保温层

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来自法国InPACT S.A的研究成果——利用FEMAG软件模拟InP晶体生长工艺

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韩国LG Siltron利用FEMAG软件计算硅晶Cz生长过程中的晶体-熔体界面形状

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